Funktionsprinzip und Funktionen des tragbaren hochpräzisen Teleskop-Laser-Entfernungsmessers
Laser-Entfernungsmesser verwenden im Allgemeinen zwei Methoden zur Entfernungsmessung: die Impulsmethode und die Phasenmethode. Der Prozess der Entfernungsmessung mit der Impulsmethode ist wie folgt: Der Entfernungsmesser sendet; Der Laser wird vom Messobjekt reflektiert und dann vom Entfernungsmesser empfangen, und der Entfernungsmesser zeichnet gleichzeitig die Zeit des Lasers hin und her auf. Die Hälfte des Produkts aus Lichtgeschwindigkeit und Umlaufzeit ist die Entfernung zwischen dem Entfernungsmesser und dem gemessenen Objekt. Die Genauigkeit der Entfernungsmessung mit der Impulsmethode liegt im Allgemeinen bei etwa plus /-1 Metern. Darüber hinaus beträgt die Messtotzone dieses Entfernungsmessertyps im Allgemeinen etwa 5-15 Meter.
Die
Das Instrument arbeitet mit Halbleiterlasern mit Wellenlängen von 905 nm und 1540 nm. Für 905-nm- und 1540-nm-Laser-Entfernungsmesser bezeichnen wir sie als „sicher“. YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 1064 nm. Die Wellenlänge von 1064 Nanometern ist schädlich für die menschliche Haut und die Augen. Insbesondere wenn die Augen versehentlich den Laser mit der Wellenlänge von 1064 Nanometern berühren, kann die Schädigung der Augen tödlich sein. Daher ist im Ausland der 1064-Nanometer-Laser im tragbaren Laser-Entfernungsmesser komplett verboten. In China produzieren einige Hersteller auch 1064-nm-Laser-Entfernungsmesser. Was den 1064-nm-Laser-Entfernungsmesser betrifft, bezeichnen wir ihn als „unsicher“, da er potenziell schädlich für den menschlichen Körper ist.
Struktur und Zusammensetzung des fotoelektrischen Infrarot-Entfernungsmessers
Der Infrarot-Entfernungsmesser besteht hauptsächlich aus einer modulierten Lichtsendeeinheit, einer Empfangseinheit, einer Phasenmesseinheit, einer Zähl- und Anzeigeeinheit, einer Logiksteuereinheit und einem Leistungswandler. Die Lichtquelle ist normalerweise eine Galliumarsenid (GaAs)-Halbleiter-Leuchtdiode. Wenn ein beträchtlicher Strom durch den PN-Übergang der GaAs-Diode fließt, emittiert der PN-Übergang Licht im nahen Infrarot mit einer Wellenlänge von 0,72 μm und 0,94 μm, was auf die zurückzuführen ist Elektron-Loch-Rekombination im dotierten GaAs-Halbleiter. Die überschüssige Energie wird in Form von Photonen freigesetzt. Darüber hinaus variiert die Intensität des emittierten Lichts mit dem Injektionsstrom. Wenn es daher als Lichtquelle des Entfernungsmessers verwendet wird, kann die Amplitudenmodulation der emittierten Lichtintensität direkt durch Ändern der Größe des Speisestroms durchgeführt werden, d. h. dieses lichtemittierende Halbleiterbauelement hat die Doppelfunktion „ Strahlung“ und „Modulation“.
Das zum Empfangen von moduliertem Licht verwendete Infrarot-Fotodetektions-Umwandlungsgerät ist normalerweise eine Silizium-Fotodiode oder eine Lawinen-Fotodiode, und diese Geräte haben einen „Photospannungseffekt“. Wenn externes Licht auf seinen PN-Übergang gestrahlt wird, kann aufgrund des Effekts der photoelektrischen Energieumwandlung an den beiden Polen von PN eine Potentialdifferenz erzeugt werden, deren Größe sich mit der Intensität des einfallenden Lichts ändert und somit die Rolle spielt „ Demodulation".
