Wie kann ich ein Multimeter verwenden, um die Qualität von Feldwirkungsrohre zu erkennen?
Aufgrund des Vorhandenseins einer Dämpfungsdiode zwischen den DS -Polen häufig verwendeten MOSFETs kann die Leistung von MOSFETs unter Verwendung des Diodenspiegels eines digitalen Multimeters bestimmt werden, um den Diodenspannungsabfall zwischen den DS -Polen zu erkennen. Die detaillierte Erkennungsmethode lautet wie folgt.
Drehen Sie den Zahnradschalter des digitalen Multimeters in den Diodenmodus und schließen Sie die rote Sonde an den S -Pol und die schwarze Sonde an den D -Pol an. Zu diesem Zeitpunkt zeigt der Bildschirm des Multimeters den Spannungsabfallwert der Diode zwischen den DS -Polen an. Der Spannungsabfallwert von Hochleistungs-Feld-Effekt-Transistoren liegt normalerweise zwischen 0. 4 und 0. 8v (meistens um 0. 6v); Es sollte keinen Spannungsabfall zwischen der mit dem S-Pol angeschlossenen schwarzen Sonde, der mit dem D-Pol angeschlossenen roten Sonde und dem G-Pol und anderen Stiften geben (zum Beispiel in einem N-Channel-Feld-Effekt-Transistor sollte ein P-Channel-Feld-Effekt-Transistor einen Spannungsabfall haben. Im Gegenteil, es zeigt an, dass der Feldeffekttransistor beschädigt wurde.
Feldeffekttransistoren werden normalerweise durch Aufschlüsselung beschädigt, und in diesem Fall befinden sich die Stifte normalerweise in einem Kurzschlusszustand. Daher sollte der Spannungsabfallwert zwischen den Stiften auch OV sein. Nach jeder Messung des MOS-Feld-Effekt-Transistors wird am GS Junction Condensitor eine geringe Ladungsmenge aufgeladen, in der ein Spannungs-UGS festgelegt wird. Bei erneutem Messen kann sich die Sonde nicht bewegen (wenn ein digitales Multimeter verwendet wird, ist der Messfehler groß). Zu diesem Zeitpunkt Kurzschluss die GS -Terminals kurz.
Die Schädigung von Feldeffekttransistoren wird normalerweise durch Abbau und Kurzschluss verursacht. Zu diesem Zeitpunkt werden die Stifte mit einem Multimeter normalerweise miteinander verbunden. Nachdem der Feld-Effekt-Transistor beschädigt ist, gibt es im Allgemeinen keinen offensichtlichen Erscheinungsschaden. Für stark überströme geschädigte Feldeffekttransistoren kann es explodieren.
