Designanforderungen für Single-Chip-Schaltnetzteilschaltungen
(1) Der Rückkopplungskreis des Top Switch-II muss mit einem photoelektrischen Koppler ausgestattet werden, um ihn vom Ausgangskreis zu isolieren. Beim Entwurf eines Präzisionsschaltnetzteils sollte ein einstellbarer Präzisionskorrelationsregler TL431 hinzugefügt werden, um einen externen Fehlerverstärker zu bilden, der den Spannungsregler im Abtastkreis ersetzt. Die Spannungsregelungsrate Sv und die Stromregelungsrate Sl des Präzisionsschaltnetzteils können etwa 0,2 % erreichen, was nahe am Index eines linearen integrierten geregelten Netzteils liegt.
(2) Es sollten Optokoppler mit linear variierendem Stromübertragungsverhältnis (CTR) ausgewählt werden, wie z. B. pC817A, NEC2501, 6N137 usw. Es wird nicht empfohlen, 4N25, 4N35 und andere 4N×× gewöhnliche Optokoppler zu verwenden. Letztere weisen eine schlechte Linearität auf, was zu Verzerrungen bei der Übertragung analoger Signale führt und die Spannungsstabilisierungsleistung des Schaltnetzteils beeinträchtigt.
(3) Die Primärwicklung des Hochfrequenztransformators muss mit einer Schutzschaltung ausgestattet sein, die die durch die Streuinduktivität verursachte Spitzenspannung absorbiert und sicherstellt, dass der MOSFET nicht beschädigt wird. Diese Schutzschaltung sollte parallel zur Primärwicklung angeschlossen werden. Es gibt vier spezifische Konstruktionsschemata: ① eine Klemmschaltung bestehend aus einer Transientenspannungsunterdrückungsdiode (TVS) und einer ultraschnellen Erholungsdiode (SRD); (2) Klemmschaltung bestehend aus TVS und Siliziumgleichrichter (VD); (3) Absorptionsschaltung bestehend aus Widerstandskapazitätselement und SRD; (4) Absorptionsschaltung bestehend aus Widerstandskapazitätskomponente und VD. Unter den oben genannten Schemata ist ① das beste, da es die Vorteile von TVS, wie extrem schnelle Reaktionsgeschwindigkeit und hochenergetische Transientenimpulse, voll ausspielen kann. Schema 2 ist das zweite.
(4) Bei Verwendung des Chips sollte ein geeigneter Kühler hinzugefügt werden. Beim TO-220-Gehäuse kann er direkt auf einer kleinen Platine montiert werden. Bei DIp-8- und SMD-8-Gehäusen können anstelle des Kühlkörpers vier Quellen auf die kupferkaschierte Leiterplatte mit einer Fläche von 2,3 geschweißt werden.
(5) Um die vom Stromnetz eingeführten Störungen zu unterdrücken und zu verhindern, dass die vom Schaltnetzteil erzeugten Störungen nach außen übertragen werden, ist es erforderlich, am Eingangsanschluss des Netzteils einen EMI-Filter (auch als Netzteil-Rauschfilter (pNF) bezeichnet) hinzuzufügen.
(6) Bei Verwendung dieser Art von Chip sollte die Quellleitung so kurz wie möglich sein. Um die Ausgangsspannung bei Leerlauf oder geringer Last stabil zu halten, sollte ein Widerstand von mehreren hundert Ohm als Mindestlast an den Ausgangsanschluss der geregelten Stromversorgung angeschlossen werden, oder es kann eine Spannungsstabilisierungsröhre parallel angeschlossen werden.
