Das Funktionsprinzip und der Anwendungsbereich des Schwachlichtmikroskops EMMI/OBIRCH
Die Funktion der strahlinduzierten Widerstandsänderung (OBIRCH) wird üblicherweise mit einem Low-Light-Mikroskop (EMMI) in ein Detektionssystem integriert, das zusammen als PEM (Photo Emission Microscope) bezeichnet wird. Die beiden ergänzen sich und können die überwiegende Mehrheit der Fehlerarten effektiv bewältigen.
EMMI
Das Emissionsmikroskop (EMMI) (Wellenlängenbereich: 400 nm bis 1100 nm) ist ein Werkzeug zur Erkennung und Lokalisierung von Fehlerstellen sowie zur Suche nach hellen und heißen Stellen. Durch den Nachweis von Photonen, die durch Elektronen-Loch-Bindung und thermische Ladungsträger angeregt werden. Bei IC-Komponenten emittiert die EHP-Erkennung (Electron Hole Pairs) Photonen. Wenn beispielsweise eine Vorspannung an einen pn-Übergang angelegt wird, diffundieren die Elektronen von n leicht nach p, und die Löcher von p diffundieren ebenfalls leicht nach n, und dann wird die EHP-Rekombination mit den Löchern am p-Ende durchgeführt ( oder Elektronen am n-Ende).
Anwendung:
Die Leckage, die durch die Erkennung verschiedener Komponentendefekte verursacht wird, wie z. B. Gate-Oxiddefekte, elektrostatische Entladungsfehler, Latch-up und Leckage bei der Schaltungsüberprüfung, Sperrschichtleckage, Durchlassvorspannung und Transistoren, die im Sättigungsbereich arbeiten, kann mit EMMI lokalisiert und fehlerhafte Stellen erkannt werden oder Leckagebereiche im Array-Bereich von CMOS-Bildsensorchips und flexiblen LED-Flüssigkristallbildschirmen und erkennen ungleichmäßige laterale Stromverteilung und Leckage von LED-Chiptransistoren.
Anwendung:
1. Überprüfen Sie die Verkabelung der Chipverpackung und den internen Schaltkreis des Chips auf Kurzschlüsse.
2. Kurzschluss und Leckage von Transistoren und Dioden.
3. Metallschaltkreisdefekte und Kurzschlüsse im TFT-LCD-Panel und PCB/PCBA.
4. Einige fehlerhafte Komponenten auf PCB/PCBA.
5. Leckage der dielektrischen Schicht.
6. ESD-Blockierungseffekt.
7. Tiefenschätzung von Fehlerpunkten in der 3D-Verpackung (Stacked Die).
8. Positionierung und Erkennung ungeöffneter Fehlerstellen in Chips (Unterscheidung der Verpackung im Chip)
9. Die Problemanalyse von Kurzschlüssen mit niedriger Impedanz („10 Ohm“) wird häufig verwendet, um die Prüfung einiger ungeöffneter Proben sowie die Fehlerstelle von Metallschaltkreisen und Komponenten auf großen Leiterplatten zu analysieren. Die Metallschicht, die OBIRCH und INGAAS blockiert, kann Leckagen, Kurzschlüsse und andere Situationen nicht erkennen und kann damit ebenfalls analysiert werden.
Erkannte Highlights:
Defekt, der helle Flecken erzeugen kann – Verbindungsleckage; Kontakthaare
