Die Methode der Halbleitermessung mit einem Digitalmultimeter
Methode 1 zur Messung von Halbleitern mit Digitalmultimetern: Dioden
Die Leerlaufspannung der Diode am Digitalmultimeter beträgt etwa 2,8 V, wobei die rote Sonde an den Pluspol und die schwarze Sonde an den Minuspol angeschlossen ist. Bei der Messung beträgt der bereitgestellte Strom etwa 1 mA und der angezeigte Wert ist ein ungefährer Wert des Durchlassspannungsabfalls der Diode, gemessen in mV oder V. Der Durchlassspannungsabfall einer Siliziumdiode beträgt etwa 0. 3-0,8V. Der Durchlassspannungsabfall der Germaniumdiode beträgt etwa 0.1-0,3 V. Und Dioden mit höherer Leistung haben einen geringeren Spannungsabfall in Durchlassrichtung. Wenn der gemessene Wert weniger als 0,1 V beträgt, weist dies darauf hin, dass die Diode defekt ist und sowohl Vorwärts- als auch Rückwärtsrichtung leitend ist. Wenn sowohl die Vorwärts- als auch die Rückwärtsrichtung offen sind, bedeutet dies, dass der PN-Abschnitt der Diode offen ist. Bei Leuchtdioden emittiert die Diode bei Messung in Vorwärtsrichtung Licht und der Spannungsabfall der Röhre beträgt etwa 1,7 V.
II
Transistor
Der Transistor verfügt über zwei PN-Abschnitte, den Emitterabschnitt (be) und den Kollektorabschnitt (bc), die mit der Methode der Diodenmessung gemessen werden können. Bei der eigentlichen Messung sollte der Spannungsabfall in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung zwischen jeweils zwei Pins insgesamt sechsmal gemessen werden. Davon zeigen 4 Mal einen offenen Stromkreis und nur 2 Mal den Spannungsabfallwert. Andernfalls ist der Transistor defekt oder ein spezieller Transistor (z. B. ein Widerstandstransistor, Darlington-Transistor usw., der sich anhand des Modells von einem herkömmlichen Transistor unterscheiden lässt). Wenn bei zwei Messungen mit numerischen Werten die schwarze oder rote Sonde an denselben Pol angeschlossen ist, ist dieser Pol der Basispol. Der kleinere Messwert ist der Kollektorknoten und der größere Messwert ist der Emitterknoten. Da der Basispol bestimmt ist, können der entsprechende Kollektor und Emitter bestimmt werden. Gleichzeitig kann Folgendes festgestellt werden: Wenn die schwarze Sonde an denselben Pol angeschlossen ist, ist der Transistor vom PNP-Typ; Wenn die rote Sonde am gleichen Pol angeschlossen ist, handelt es sich um einen NPN-Transistor. Siliziumröhren haben einen Druckabfall von etwa 0,6 V, während Germaniumröhren einen Druckabfall von etwa 0,2 V haben.
3, Thyristor:
Die Anode, die Kathode und die Steuerelektrode des Thyristors sind offene Stromkreise, mit denen die Anodenstifte bestimmt und festgestellt werden können, ob der Thyristor ausgefallen ist. Der Raum zwischen der Steuerelektrode des Thyristors und der Kathode ist ebenfalls ein PN-Abschnitt, zwischen der Steuerelektrode des Hochleistungsthyristors und der Kathode befindet sich jedoch ein Schutzwiderstand, und der während der Messung angezeigte Wert ist der Spannungsabfall am Widerstand.
4, Optokoppler
Eine Seite des Optokopplers ist eine Leuchtdiode, bei der während der Messung ein Spannungsabfall von etwa 1 V auftritt. Die andere Seite ist ein Transistor, der teilweise nur c und e herausführt und die Messung sowohl in Vorwärts- als auch in Rückwärtsrichtung abschneidet. Wenn alle drei Pins herausgeführt sind, entsprechen die Messeigenschaften denen des oberen Transistors (meist NPN-Transistor). Wenn Sie ein Multimeter verwenden, um die Diode in Durchlassrichtung leiten zu lassen, verwenden Sie ein anderes Multimeter, um den Leitungsspannungsabfall von Transistor c nach e zu messen, der etwa 0,15 V beträgt; Trennen Sie das an die Diode angeschlossene Multimeter, und der Transistor c schaltet e ab, was anzeigt, dass der Optokoppler in Ordnung ist
