Prinzipien der Verdrahtung von Hochfrequenzschaltkreisen für Schaltnetzteile
Schaltnetzteile arbeiten im Hochfrequenz- und Hochimpulszustand und gehören zu einem speziellen Typ analoger Schaltkreise. Das Layout der Platine muss den Prinzipien der Hochfrequenzschaltkreisverdrahtung entsprechen.
1. Layout: Die Impulsspannungsleitung sollte so kurz wie möglich sein, vom Eingangsschalter zur Transformatorleitung und vom Ausgangstransformator zur Gleichrichterleitung. Die Impulsstromschleife sollte so kurz wie möglich sein, z. B. vom positiven Eingangsfilterkondensator zum negativen Rückflusskondensator der Schaltröhre. Der Ausgangsteil des Transformators vom Ausgang zum Gleichrichter zum Ausgangsstrom zum Ausgangskondensator des Rückflusstransformators. Der X-Kondensator sollte so nah wie möglich am Eingang des Schaltnetzteils liegen und parallel zur Eingangsleitung liegende andere Schaltkreise sollten vermieden werden. Der Y-Kondensator sollte am Gehäuseerdungsanschluss oder am FG-Anschluss platziert werden. Halten Sie einen gewissen Abstand zwischen der gemeinsamen Berührungsinduktivität und dem Transformator ein, um magnetische Kopplung zu vermeiden. Wenn die gemeinsame Berührungsinduktivität und der Transformator nicht gut behandelt werden, wirkt sich eine Abschirmung zwischen den oben genannten Elementen stark auf die EMV-Leistung des Schaltnetzteils aus.
Ausgangskapazitäten können im Allgemeinen zwei Gleichrichter verwenden, einer davon sollte nahe an den Ausgangsanschlüssen liegen, da dies die Welligkeitsanzeige am Ausgang der Stromversorgung beeinflussen kann. Zwei Kondensatoren mit kleiner Kapazität parallel sollten besser sein als ein Kondensator mit großer Kapazität. Wärmeerzeugende Geräte und Elektrolytkondensatoren sollten einen gewissen Abstand einhalten, um die Lebensdauer der Maschine zu verlängern. Elektrolytkondensatoren sind eine Flasche mit Schaltnetzteillebensdauer, wie z. B. Transformatoren, Leistungsröhren, Hochleistungswiderstände und Elektrolytkondensatoren. Zwischen den Elektrolytkondensatoren muss auch Raum für die Wärmeableitung gelassen werden. Wenn die Bedingungen es zulassen, können sie im Lufteinlass platziert werden.
In der Steuersektion ist folgendes zu beachten: Die Verbindungen von Signalkreisen mit hoher Impedanz und schwacher Spannung müssen so kurz wie möglich sein, z. B. bei der Abtastung von Rückkopplungsschleifen, um Störungen zu vermeiden. Bei der Handhabung von Stromabtastsignalkreisen, insbesondere stromgesteuerten Kreisen, ist eine schlechte Handhabung für unerwartete Unfälle anfällig. Ebenso wie bei den Antriebssignalkreisen der Schaltröhre muss der Antriebswiderstand der Schaltröhre nahe an der Schaltröhre liegen, um die Zuverlässigkeit der Schaltröhre zu verbessern. Dies hängt mit den Antriebseigenschaften der Leistungs-MOSFETs mit hoher Gleichstromimpedanz zusammen. Antriebseigenschaften der Gleichstromimpedanzspannung.
