Struktur und Zusammensetzung des fotoelektrischen Infrarot-Entfernungsmessers
Der Infrarot-Entfernungsmesser besteht hauptsächlich aus einer modulierten Lichtsendeeinheit, einer Empfangseinheit, einer Phasenmesseinheit, einer Zähl- und Anzeigeeinheit, einer Logiksteuereinheit und einem Leistungswandler. Die Lichtquelle ist normalerweise eine Galliumarsenid (GaAs)-Halbleiter-Leuchtdiode. Wenn ein beträchtlicher Strom durch den PN-Übergang der GaAs-Diode fließt, emittiert der PN-Übergang Licht im nahen Infrarot mit einer Wellenlänge von 0,72 μm und 0,94 μm, was auf die zurückzuführen ist Elektron-Loch-Rekombination im dotierten GaAs-Halbleiter. Die überschüssige Energie wird in Form von Photonen freigesetzt. Darüber hinaus variiert die Intensität des emittierten Lichts mit dem Injektionsstrom. Wenn es daher als Lichtquelle des Entfernungsmessers verwendet wird, kann die Amplitudenmodulation der emittierten Lichtintensität direkt durch Ändern der Größe des Speisestroms durchgeführt werden, d. h. dieses lichtemittierende Halbleiterbauelement hat die Doppelfunktion „ Strahlung“ und „Modulation“.
Das zum Empfangen von moduliertem Licht verwendete Infrarot-Fotodetektions-Umwandlungsgerät ist normalerweise eine Silizium-Fotodiode oder eine Lawinen-Fotodiode, und diese Geräte haben einen „Photospannungseffekt“. Wenn externes Licht auf seinen PN-Übergang gestrahlt wird, kann aufgrund des Effekts der photoelektrischen Energieumwandlung an den beiden Polen von PN eine Potentialdifferenz erzeugt werden, deren Größe sich mit der Intensität des einfallenden Lichts ändert und somit die Rolle spielt „ Demodulation".
