Multimeter - Auswahl von Halbleitertransistoren
Die Auswahl der Transistoren muss erstens den Anforderungen der Geräte und Schaltkreise entsprechen und zweitens dem Prinzip der Wirtschaftlichkeit entsprechen. Je nach Anwendung sollten im Allgemeinen die folgenden Faktoren berücksichtigt werden: Betriebsfrequenz, Kollektorstrom, Verlustleistung, Stromverstärkungsfaktor, Sperrspannung, Stabilität und Sättigungsspannungsabfall usw. Diese Faktoren stehen in einer gegenseitig einschränkenden Beziehung. Bei der Auswahl und Verwaltung sollten wir die Hauptwidersprüche erfassen und die sekundären Faktoren berücksichtigen.
Die charakteristische Frequenz fT von Niederfrequenzröhren liegt im Allgemeinen unter 2,5 MHz, während die fT von Hochfrequenzröhren zwischen einigen zehn MHz und einigen hundert MHz oder sogar noch höher liegt. Bei der Auswahl der Steuerung sollte fT das 3- bis 10-fache der Betriebsfrequenz betragen. Grundsätzlich können Hochfrequenzröhren Niederfrequenzröhren ersetzen, aber die Leistung von Hochfrequenzröhren ist im Allgemeinen relativ gering und der Dynamikbereich ist eng. Achten Sie beim Austausch auf die Leistungsbedingungen.
Im Allgemeinen sollte der Wert größer sein, aber größer ist nicht immer besser. Wenn er zu hoch ist, kommt es leicht zu selbsterregten Schwingungen. Außerdem sind Röhren mit hohen Werten im Allgemeinen instabil und stark temperaturabhängig. Normalerweise liegt der Wert zwischen 40 und 100, aber bei Röhren mit geringem Rauschen und hohen Werten (wie 1815, 9011~9015 usw.) ist die Temperaturstabilität auch dann noch gut, wenn der Wert Hunderte erreicht. Darüber hinaus sollte für die gesamte Schaltung eine Abstimmung aller Ebenen ausgewählt werden. Wenn beispielsweise die vordere Stufe eine High-Beta-Röhre verwendet, kann die hintere Stufe eine Low-Beta-Röhre verwenden; umgekehrt, wenn die vordere Stufe eine Low-Beta-Röhre verwendet, kann die hintere Stufe eine High-Beta-Röhre verwenden.
Die Kollektor-Emitter-Sperrdurchbruchspannung UCEO sollte größer als die Versorgungsspannung gewählt werden. Je kleiner der Durchdringungsstrom, desto besser ist die Temperaturbeständigkeit. Die Stabilität gewöhnlicher Siliziumröhren ist viel besser als die von Germaniumröhren, aber der Sättigungsspannungsabfall gewöhnlicher Siliziumröhren ist größer als der von Germaniumröhren, was in einigen Schaltkreisen die Leistung der Schaltung beeinträchtigt. Sie sollte entsprechend den spezifischen Bedingungen der Schaltung und dem Verbrauch des Transistors ausgewählt werden. Bei der Leistungsableitung sollte je nach den Anforderungen verschiedener Schaltkreise ein gewisser Spielraum gelassen werden.
Für Transistoren, die in Schaltkreisen wie Hochfrequenzverstärkung, Mittelfrequenzverstärkung und Oszillatoren verwendet werden, sollten Transistoren mit hoher charakteristischer Frequenz fT und kleiner Kapazität zwischen den Elektroden ausgewählt werden, um eine hohe Leistungsverstärkung und Stabilität bei hohen Frequenzen sicherzustellen.
