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Methoden zur Verwendung eines Multimeters zur Erkennung des Leistungsmoduls eines Wechselrichters

May 07, 2025

Methoden zur Verwendung eines Multimeters zur Erkennung des Leistungsmoduls eines Wechselrichters

 

Wenn Sie das Leistungsmodul im Stromkreis (vom Stromnetz isoliert) erkennen, verwenden Sie den R×1-Bereich eines Zeigermultimeters, um die sechs Dioden der Gleichrichterbrücke und den Kollektor und Emitter der sechs IGBT-Transistoren der Ausgangsbrücke in Vorwärts- bzw. Rückwärtsrichtung zu messen, um festzustellen, ob sie defekt sind. Tabelle 1 und Tabelle 2 zeigen die normalen Messergebnisse. Andernfalls befinden sich darin kaputte-Komponenten. Verwenden Sie den B×1k-Bereich des Zeigermultimeters, um den Widerstand zwischen dem Gate und dem Emitter jedes der sechs IGBT-Transistoren (dem Eingangsanschluss des Ansteuersignals) zu messen. Diese sollten gleich sein. Wenn es Unterschiede gibt, deutet dies darauf hin, dass die Ansteuerschaltung oder der IGBT-Transistor beschädigt ist. Die oben genannten Messungen können nur den Durchschlagsschaden der IGBT-Transistoren erkennen, nicht jedoch den Leerlaufschaden. Nach dem Entfernen des Leistungsmoduls von der Platine kann jeder IGBT-Transistor weiter gemessen werden. Die Methode ist in Abbildung 1 dargestellt. Der Zeiger auf der linken Seite zeigt Nicht-Leitung an, und der Zeiger auf der rechten Seite zeigt Leitung an. Wenn er nicht leitend und abgeschaltet werden kann, ist der Transistor beschädigt.

 

Der Aufbau des Leistungsmoduls des Wechselrichters:

 

Im Leistungsmodul des Wechselrichters ist ein Teil eine einphasige oder dreiphasige Brückengleichrichterschaltung, die aus Dioden besteht, und der andere Teil ist eine dreiphasige Brückenausgangsschaltung, die aus sechs zusammenwirkenden IGBT-Transistoren (Insulated Gate Bipolar Transistors) und sechs Dämpfungsdioden besteht.

 

P1 ist der positive Anschluss des gleichgerichteten Ausgangs +300V und N1 ist der negative Anschluss des gleichgerichteten Ausgangs. Diese beiden Pins sind extern mit einem Filter-Elektrolytkondensator verbunden und über die Gegeninduktivitätsspule verbunden, wobei P1 mit P2 und N1 mit N2 verbunden ist, wodurch die aus sechs IGBT-Transistoren bestehende Ausgangsbrücke mit Strom versorgt wird.

 

Die Kollektoren der drei IGBT-Transistoren in der oberen Halb--Brücke der drei--Phasen-Ausgangsbrücke sind alle mit dem positiven Anschluss der Stromversorgung verbunden, und die Emitter sind jeweils die drei --Phasen-Ausgangsanschlüsse U, V und W. Die Emitter und Gates der drei Transistoren bilden die Eingangsanschlüsse der Ansteuersignale für die drei-Phasen-obere Halb-brücke, nämlich GU-U, GV-V und GW-W. Die Kollektoren der drei IGBT-Transistoren in der unteren Halbbrücke der dreiphasigen Ausgangsbrücke sind jeweils mit U, V und W verbunden, und die Emitter sind alle mit dem Minuspol der Stromversorgung verbunden. Die Gates der drei Transistoren und der Minuspol der Stromversorgung bilden die Eingangsanschlüsse der Ansteuersignale für die dreiphasige untere Halbbrücke, nämlich GX, GY und GZ. B ist der Bremssteueranschluss.

 

3 NCV Measurement for multimter -

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