Methode zur Verwendung eines Multimeters zur Erkennung von Wechselrichter-Leistungsmodulen
Wenn das Leistungsmodul getestet (vom Stromnetz getrennt) wird, können Kollektor und Emitter der sechs Dioden der Gleichrichterbrücke und der sechs IGBT-Röhren der Ausgangsbrücke mit einem Zeigermultimeter R × l in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung gemessen werden, um zu bestimmen ob sie kaputt gegangen sind. Bei Tabelle 1 und Tabelle 2 handelt es sich um normale Messergebnisse, ansonsten liegen interne Störungskomponenten vor. Messen Sie den Widerstand (Ansteuersignal-Eingangsklemme) zwischen Gate und Emitter von sechs IGBT-Transistoren mit einem Zeigermultimeter Bx1k. Wenn es einen Unterschied gibt, deutet dies auf eine Beschädigung der Ansteuerschaltung oder des IGBT-Transistors hin. Die oben genannten Messungen können nur den Durchschlagsschaden von IGBT-Röhren messen. Es können keine offenen Stromkreisschäden festgestellt werden. Nach dem Entfernen des Leistungsmoduls von der Leiterplatte kann jede IGBT-Röhre mit der in Abbildung 1 gezeigten Methode weiter gemessen werden, wobei die Nadel auf der linken Seite keine Leitfähigkeit anzeigt. Die Nadel rechts zeigt die Leitfähigkeit an. Lässt es sich nicht ein- und ausschalten, ist die Röhre beschädigt.
Aufbau des Frequenzumrichter-Leistungsmoduls:
Die interne Verpackung des Frequenzumrichter-Leistungsmoduls besteht aus einer einphasigen oder dreiphasigen Brückengleichrichterschaltung bestehend aus Dioden und einer weiteren dreiphasigen Brückenausgangsschaltung bestehend aus sechs IGBT-Transistoren (Bipolartransistoren mit isoliertem Gate) und sechs verwendeten Dämpfungsdioden in Verbindung.
P1 ist der positive Anschluss des Gleichrichterausgangs +300V und N1 ist der negative Anschluss des Gleichrichterausgangs. Diese beiden Pins sind extern mit einem Filter-Elektrolytkondensator verbunden und über gegenseitige Induktivitätsspulen P1 bzw. N1 mit P2 und N2 verbunden, um die aus sechs IGBT-Röhren bestehende Ausgangsbrücke mit Strom zu versorgen.
Die Kollektoren der drei IGBT-Transistoren in der oberen Halbbrücke der dreiphasigen Ausgangsbrücke sind mit dem Pluspol der Stromversorgung verbunden, und die Emitter sind die dreiphasigen Ausgangsklemmen U, V und W. Die Emitter und Gates der drei Transistoren bilden die Eingangsanschlüsse GU-U, GV-V und GW-W für das Ansteuersignal der oberen Halbbrücke. Die Kollektoren der drei IGBT-Transistoren in der unteren Halbbrücke der dreiphasigen Ausgangsbrücke sind mit U, V und W verbunden, und die Emitter sind mit dem Minuspol der Stromversorgung verbunden. Die Gates der drei Transistoren und der Minuspol der Stromversorgung bilden die Eingangsklemmen GX, GY und GZ für das Ansteuersignal der unteren Halbbrücke. B ist der Bremssteueranschluss.
In diesem Modul gibt es keinen Bremskreis. TH ist der durch einen internen Thermistor geschützte Ausgangsanschluss. Obwohl die Stifte und Markierungen auf der Leiterplatte anderer Modelle von Universal-Frequenzumrichter-Leistungsmodulen unterschiedlich sind, ist es nicht schwierig, die wichtigsten funktionellen Stiftpositionen zu identifizieren. High-End-Produkte verfügen über intelligente Leistungsmodule, die intern Antriebsschaltkreise und Bremsschaltkreise mit entsprechend mehr Pins umfassen.
Das Leistungsmodul eines Frequenzumrichters bezieht sich, wie der Name schon sagt, auf die Kombination leistungselektronischer und elektrischer Komponenten im Frequenzumrichter nach bestimmten Funktionen und dann in ein Modul gekapselt. Der Frequenzumrichter selbst besteht aus einer Steuereinheit und einem Leistungsmodul. Im Allgemeinen wird das Leistungsmodul eines Frequenzumrichters durch die Integration des Außengehäuses und der externen Elektrodenanschlüsse aufgebaut, um die Anzahl der Komponenten und die interne Verdrahtungsinduktivität zu reduzieren.
