+86-18822802390

Einführung in elektromagnetische Störungsquellen für Hochfrequenzschaltungsversorgungen

Feb 25, 2025

Einführung in elektromagnetische Störungsquellen für Hochfrequenzschaltungsversorgungen

 

Der Gleichrichter- und Stromtransistor Q1 im Schaltkreis sowie die Krafttransistoren Q2 bis Q5, Hochfrequenztransformator T1 und Ausgangsrichterdioden D1 bis D2 in der in Abbildung 1B gezeigten Schaltung sind die Hauptquellen für elektromagnetische Interferenzen, die während des Betriebs von Hochfrequenzwechsel-Versandquellen erzeugt werden. Die spezifische Analyse ist wie folgt.


Die während des Gleichberechungslagerprozesses des Gleichrichters erzeugten Harmonischen erzeugen durchführte und abgestrahlte Störungen entlang der Stromleitung.


Schalttransistoren arbeiten in Hochfrequenzleitungs- und Grenzzuständen. Um die Schaltverluste, die Verbesserung der Stromdichte und die Gesamteffizienz zu verringern, wird die Öffnungs- und Schließgeschwindigkeit von Switching -Transistoren immer schneller. Im Allgemeinen öffnen und schließen Sie in wenigen Mikrosekunden mit dieser Geschwindigkeit die Schalttransistoren, wodurch der Überspannungsspannung und der Überspannungsstrom erzeugt werden. Dies erzeugt Hochfrequenz- und Hochspannungspeakharmonische, wodurch elektromagnetische Störungen in die Raum- und Wechselstrominformationen verursacht werden.


Gleichzeitig erzeugt der Hochfrequenztransformator T1 eine Leistungsumwandlung, und erzeugt ein abwechselnd elektromagnetisches Feld, das elektromagnetische Wellen in den Raum ausstrahlt und Strahlungsstörungen bildet. Die verteilte Induktivität und Kapazität des Transformators oszillieren und koppeln durch die verteilte Kapazität zwischen den Primärstadien des Transformators und bildeten Störungen.


Wenn die Ausgangsspannung relativ niedrig ist, arbeitet die Ausgangsrichterdiode in einem hochfrequenten Schaltzustand und ist auch eine Quelle für elektromagnetische Interferenzen.


Aufgrund der parasitären Induktivität und der Übergangskapazität der Diodenleitungen sowie des Einflusses des Reverse -Wiederherstellungsstroms arbeitet sie mit hohen Spannungs- und Stromänderungsraten. Je länger die Rückgewinnungszeit der Diode ist, desto größer ist der Einfluss des Spitzenstroms und desto stärker das Störungssignal, was zu einer Hochfrequenzschwächungschwankung führt, was eine Art Differenzmodus-Leitungsstörung darstellt.


Alle erzeugten elektromagnetischen Signale werden über Metalldrähte wie Stromleitungen, Signallinien und Erdungsdrähte auf externe Leistungsquellen übertragen, wobei leitende Störungen bilden. Strahlungsstörungen werden durch Interferenzsignale verursacht, die durch Drähte und Geräte oder durch miteinander verbundene Kabel, die als Antennen wirken, verknüpft werden.

 

USB laboratory power supply -

Anfrage senden