So beurteilen Sie die Polarität einer Triode mit einem Zeigermultimeter

Jan 01, 2024

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So beurteilen Sie die Polarität einer Triode mit einem Zeigermultimeter
 

①Unterscheidung von Basis b: Der Zeiger des Multimeters steht auf Block 1K, der schwarze Stift berührt einen beliebigen Fuß des Kristalltransistors, der rote Stift berührt die beiden anderen Füße. Messen Sie die positiven und negativen Widerstandswerte des Transistors, bis zwei der gemessenen Widerstandswerte sehr groß sind (wenn ein Widerstandswert sehr groß ist und der andere Widerstandswert sehr klein ist, müssen Sie den schwarzen Stift erneut auf eine Elektrode stecken). Dann ist die Elektrode, die mit dem schwarzen Stift berührt wird, die Basis der Triode b. Und die getestete Kristalltriode ist eine Kristalltriode vom PNP-Typ. Bei der Messung ist die Elektrode, die mit dem schwarzen Stift berührt wird, die Basis des Transistors b. Und der gemessene Kristalltransistor ist ein Kristalltransistor vom PNP-Typ. Wenn zu diesem Zeitpunkt die Widerstandswerte der beiden Elektroden sehr klein sind, wird der schwarze Stift mit der Basis des Transistors b verbunden und die gemessene Kristalltriode ist eine Kristalltriode vom NPN-Typ.


② Unterscheidung zwischen Kollektor c und Emitter e; bei Quarztransistoren vom Typ PNP und NPN aus Germanium können Sie die Basis des Transistors b mit der oben beschriebenen Methode bestimmen. Platzieren Sie dann das Zeigermultimeter im Bereich R * 1K und messen Sie den Widerstand der beiden verbleibenden Elektroden. Stellen Sie die beiden Stifte auf den kleineren Widerstandswert ein. Wenn der zu messende Transistor vom Typ PNP ist, ist die mit dem roten Stift erreichbare Elektrode der Kollektor. Wenn der zu messende Transistor vom Typ NPN ist, ist die mit dem roten Stift erreichbare Elektrode der Emitter e und die mit dem schwarzen Stift erreichbare Elektrode der Kollektor c. Bei Quarztransistoren vom Typ NPN ist die mit dem roten Stift erreichbare Elektrode der Emitter e und die mit dem schwarzen Stift erreichbare Elektrode der Kollektor c.


Bei einem Siliziumkristalltransistor vom NPN-Typ haben die Basis b und der Kollektor c Zugang zu einem 100-kΩ-Widerstand. Gemäß den obigen Messungen muss zusätzlich zur Messung des Widerstands zwischen den beiden Elektroden an der Basis b der Widerstandswert gemessen werden, bei dem der Widerstandswert kleiner ist. Der schwarze Stift hat Zugang zum Kollektor des Transistors c, die Elektrode, auf die der rote Stift zugreift, ist der Emitter e.

Lernen Sie die drei Pole der Quarztriode kennen, diesmal mit einer sehr praktischen Möglichkeit, die Verstärkungskapazität der Quarztriode zunächst abzuschätzen.


Für Siliziummaterial NPN-Typ Kristalltransistor; das Multimeter-Zahnrad auf Position Rx1K stellen, den roten Stift auf den Kollektor c, den schwarzen Stift auf den Emitter e, die Basis ist frei, diesmal eine Hand den Kollektor des Transistors c kneifen, der menschliche Körper entspricht einem Basisvorspannungswiderstand, die Basis des Transistors mit der Spitze der Zunge lecken, zu diesem Zeitpunkt wird der Zeiger des Multimeters zeigen, der Widerstand des Gehäuses wird sehr hoch sein! Zu diesem Zeitpunkt wird die Nadel des Zeigers des Multimeters von einem großen Widerstandswert auf einen sehr kleinen Widerstandswert wechseln (d. h. oszillierender Widerstandswert). Diese Methode ist ein wenig erdig, aber sie ist sehr gut anwendbar.

 

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