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Anwendung der Infrarotmikroskopie in winzigen Geräten der Elektronikindustrie

Dec 06, 2023

Anwendung der Infrarotmikroskopie in winzigen Geräten der Elektronikindustrie

 

Mit der Entwicklung der Nanotechnologie wurde ihre Top-down-Schrumpfmethode zunehmend im Bereich der Halbleitertechnologie eingesetzt. In der Vergangenheit bezeichneten wir alle die IC-Technologie als „Mikroelektronik“-Technologie, da die Größe der Transistoren im Mikronbereich (10-6 Meter) lag. Die Halbleitertechnologie entwickelt sich jedoch sehr schnell. Alle zwei Jahre wird sie um eine Generation weiterentwickelt und ihre Größe wird auf die Hälfte ihrer ursprünglichen Größe schrumpfen. Dies ist das berühmte Mooresche Gesetz. Vor etwa 15 Jahren begannen Halbleiter in die Submikron-Ära einzutreten, was kleiner als ein Mikron ist, und gingen dann in die Deep-Submikron-Ära über, was viel kleiner als ein Mikron ist. Im Jahr 2001 waren die Transistorgrößen sogar kleiner als 0,1 Mikron oder weniger als 100 Nanometer. Dies ist die Ära der Nanoelektronik, und die meisten zukünftigen ICs werden auf Basis von Nanotechnologie hergestellt.


Anforderung an Fähigkeiten:
Derzeit ist die häufigste Ausfallart elektronischer Geräte der thermische Ausfall. Laut Statistik sind 55 % der Ausfälle elektronischer Geräte auf Temperaturen zurückzuführen, die bestimmte Werte überschreiten. Mit steigender Temperatur steigt die Ausfallrate elektronischer Geräte exponentiell an. Generell ist die Betriebszuverlässigkeit elektronischer Komponenten äußerst temperaturempfindlich. Bei jedem Anstieg der Gerätetemperatur um 1 Grad über 70-80 Grad verringert sich die Zuverlässigkeit um 5 %. Daher ist es notwendig, die Temperatur des Geräts schnell und zuverlässig zu erfassen. Da die Größe von Halbleiterbauelementen immer kleiner wird, werden höhere Anforderungen an die Temperaturauflösung und die räumliche Auflösung von Erfassungsgeräten gestellt.


So messen Sie die Tiefe einer Zinkinfiltrationsschicht mit einem Werkzeugmikroskop
So messen Sie die Tiefe der Zinkschicht mit einem Werkzeugmikroskop:


1. Schneiden Sie die Probe (die mit Zink infiltrierte Probe wird mit einer metallografischen Schneidemaschine entlang der vertikalen Richtung der Achse geschnitten, um die frische Metalloberfläche freizulegen, und verwenden Sie dann eine Inlay-Maschine, um die Metallprobe in Bakelitpulver einzulegen, um eine Kunststoff-Metall-Verbundprobe herzustellen. (Probe) Legen Sie sie auf die Werkbank des Werkzeugmikroskops, schalten Sie die Lichtquelle ein, stellen Sie die Oberflächenlichtquelle ein, stellen Sie Fokus und Vergrößerung ein, sodass ein klares Bild auf dem PC-Display erscheint.


2. Drehen Sie die X- und Y-Richtungsknöpfe der Werkbank so, dass die Cursorkreuzlinie dem kritischen Punkt der Metalldurchdringungsschicht entspricht, treten Sie auf das Pedal, um die Koordinaten der Punkte zu erhalten, und definieren Sie jeweils zwei erhaltene Koordinatenpunkte als gerade Linie, was insgesamt 4 Punkte ergibt. Bilden Sie zwei gerade Linien,


3. Verwenden Sie die Funktion „Abstand zwischen geraden Linien“ in der Software, um den Abstand zwischen zwei geraden Linien, also die Tiefe der zinkinfiltrierten Schicht, direkt zu ermitteln. Die Verwendung eines Werkzeugmikroskops zum Messen der Tiefe der zinkinfiltrierten Schicht ist intuitiv. Gleichzeitig kann die zugehörige Software des Werkzeugmikroskops auch die Tiefe der zinkinfiltrierten Schicht anderer nicht standardmäßiger Proben messen.

 

4 Electronic Magnifier

 

 

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